تخطي إلى المحتوى
الرئيسية
من نحن
الأسئلة الشائعة
سياسة الخصوصية
استفاقة
استفاقة
Main Menu
الرئيسية
من نحن
الأسئلة الشائعة
سياسة الخصوصية
MOSFET
الرئيسية
MOSFET
أكسيد البوابة (Gate Oxide)
البوابة المعدنية (Metal Gate)
جهد القيادة الزائد (Overdrive Voltage)
عملية 3 ميكرومتر (3 µm process)
عملية 1.5 ميكرومتر (1.5 µm process)
تخفيض حاجز الاستنزاف الناتج (Drain-Induced Barrier Lowering)
تأثير القناة القصيرة العكسي (Reverse Short-Channel Effect)
الترانزستور الخماسي (Pentode Transistor)
1
2
التالي
←
Exit mobile version